Hubáček Tomáš

0605247 - FZÚ 2025 RIV SK eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Hájek, František - Pangrác, Jiří - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures.
21. konference českých a slovenských fyziků - Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2023 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.). ISBN 978-80-89855-21-6.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /21./. 04.09.2023-07.09.2023, Bratislava]
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE technology * GaN * transport properties * HEMT
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://kis.cvt.stuba.sk/arl-stu/en/detail-stu_us_cat-0106937-21st-Conference-of-Czech-and-Slovak-Physicists/?iset=1
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0362909
Uložit do RIV jako O

0588450 - FZÚ 2025 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Vaněček, Vojtěch - Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Dominec, Filip - Košutová, T.
Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation.
Journal of Luminescence. Roč. 269, May (2024), č. článku 120463. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * UV-C * absorption coefficient * excitation spectra * absorption spectra
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.6, rok: 2024 ; AIS: 0.457, rok: 2024
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0355352

0600123 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Wang, X.R. - Vaněk, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Ling, F.C.-C. - Xu, S.J.
Sub-bandgap excited photoluminescence probing of deep defect complexes in GaN doped by Si, Ge and C impurities.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 39, č. 10 (2024), č. článku 105010. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: gallium nitride * yellow luminescence * negative thermal quenching * defect * sub-bandgap
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.1, rok: 2024 ; AIS: 0.325, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad7638
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0357494

0616784 - FZÚ 2025 RIV FR eng O - Ostatní výsledky
Szabó, Ondrej - Dominec, Filip - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Kromka, Alexander
Optical properties of diamond layers grown on III-nitrides.
2024
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: UV sources * nitrides * boron doped diamond
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://iwumd2023.org/program/
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0364518
Uložit do RIV jako O

0605285 - FZÚ 2025 RIV cze P - Patentový dokument
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Hájek, František - Blažek, K. - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip
Luminiscenční epitaxní struktura s InGaN kvantovými jamami a způsob její výroby.
[Luminescent epitaxial structure and way of preparation.]
2024. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.,Crytur s.r.o. Datum udělení patentu: 18.07.2024. Číslo patentu: 310121. : národní patent v členském státě EU .
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * quantum well * MOVPE * luminescence * decay time
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.gov.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/310/310121.pdf
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0362923

0616695 - FZÚ 2025 RIV CZ cze Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Jarý, Vítězslav
Technologie přípravy tlustých detekčních vrstev InGaN/GaN.
[Technology of preparation of thick InGaN/GaN layers.]
Interní kód: FW03010298-V28 ; 2024
Technické parametry: Struktura obsahuje 100 InGaN/GaN kvantových jam, má celkovou tloušťku aktivní oblasti 2400 nm, fotoluminiscenční i radioluminiscenční dosvit 1,4 ns
Ekonomické parametry: Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů, ale i pro detektory jiných ionizujících záření (alfa, rtg, gama...) např pro rentgenové zobrazování, CT, TOF CT, TOF SIMS nebo TOF PET aplikace. Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * scintillator * InGaN/GaN MQW * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0363677