Nápověda

Hubáček Tomáš

Publikace ASEP

Označit vše / Zobrazit všechny roky / Zrušit označení

Označit vše / Zobrazit vše / Zrušit označení

Nalezeno záznamů: 13

0567278 - FZÚ 2023 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Buryi, Maksym - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Kuldová, Karla - Vaněk, Tomáš
Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells.
Journal of Physics: Conference Series. Vol. 2413. Bristol: IOP Publishing, 2022, č. článku 012001. ISSN 1742-6588.
[DMSRE seminar: Development of Materials Science in Research and Education (DMSRE) /31./. Nová Lesná (SK), 05.09.2022-09.09.2022]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN multiple quantum wells * Si doping * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0338546

0564769 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Buryi, Maksym - Babin, Vladimir - Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hájek, František - Kuldová, Karla - Remeš, Zdeněk - Hospodková, Alice
Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films.
Optical Materials: X. Roč. 16, Oct. (2022), č. článku 100211. ISSN 2590-1478
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * thin films * Ge doping * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Způsob publikování: Open access
Buryi, Maksym
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0336364

0561462 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Buryi, Maksym - Babin, Vladimir - Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hájek, František - Kuldová, Karla - Artemenko, Anna - Hospodková, Alice
The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study.
Radiation Measurements. Roč. 157, Sep (2022), č. článku 106842. ISSN 1350-4487. E-ISSN 1879-0925
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * thin films * Si doping * luminescence * EPR
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2, rok: 2022 ; AIS: 0.389, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2022.106842
Buryi, Maksym
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0334173

0639456 - FZÚ 2026 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Čížek, J. - Kuriplach, J. - Hrytsak, R. - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Babin, Vladimir - Szabó, Ondrej - Hubík, Pavel - Grzanka, E. - Czernecki, R. - Leszczynski, M. - Liedke, M. O. - Butterling, M. - Hirschmann, E. - Wagner, A. - Hospodková, Alice
Clusters of vacancies in gallium nitride grown by MOCVD.
Journal of Physics-Materials. Roč. 8, č. 4 (2025), č. článku 045008. E-ISSN 2515-7639
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: positron-annihilation * yellow luminescence * GaN * progress * defects * system
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.3, rok: 2024 ; AIS: 1.237, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0369997

0574605 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Buryi, Maksym - Ledoux, G. - Dujardin, C.
Donor-acceptor pairs recombination as the origin of the emission shift in InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn.
ECS Journal of Solid State Science and Technology. Roč. 12, č. 6 (2023), č. článku 066004. ISSN 2162-8769. E-ISSN 2162-8777
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitrides * scintillator * defects * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2023 ; AIS: 0.312, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0346913

0588450 - FZÚ 2025 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Vaněček, Vojtěch - Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Dominec, Filip - Košutová, T.
Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation.
Journal of Luminescence. Roč. 269, May (2024), č. článku 120463. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * UV-C * absorption coefficient * excitation spectra * absorption spectra
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.6, rok: 2024 ; AIS: 0.457, rok: 2024
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0355352

0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342034

0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 8.5, rok: 2023 ; AIS: 1.578, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342845

0562801 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Batysta, Jan - Liedke, M.O. - Hirschmann, E. - Butterling, M. - Wagner, A.
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers.
Materials. Roč. 15, č. 19 (2022), č. článku 6916. ISSN 1996-1944. E-ISSN 1996-1944
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
AV ČR(CZ) PAN-20-19; OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * defects * positron annihilation spectroscopy * photoluminescence * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022 ; AIS: 0.511, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0334994

0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Hubáček, Tomáš
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0341707

0556260 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Stránská Matějová, J. - Hospodková, Alice - Košutová, T. - Hubáček, Tomáš - Hývl, Matěj - Holý, V.
V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content.
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 55, č. 25 (2022), č. článku 255101. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT EF16_026/0008382
OP VVV - CARAT CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: V-pits * InGaN/GaN * dislocations * x-ray diffraction * diffuse scattering * XRD * RSM
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022 ; AIS: 0.675, rok: 2022
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330551

0558906 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Babin, Vladimir - Remeš, Zdeněk - Buryi, Maksym
Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping.
Journal of Alloys and Compounds. Roč. 914, Sep (2022), č. článku 165255. ISSN 0925-8388. E-ISSN 1873-4669
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: semiconductors * nitride materials * vapor deposition * optical properties * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.2, rok: 2022 ; AIS: 0.738, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255
Vaněk, Tomáš
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0332401

0600123 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Wang, X.R. - Vaněk, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Ling, F.C.-C. - Xu, S.J.
Sub-bandgap excited photoluminescence probing of deep defect complexes in GaN doped by Si, Ge and C impurities.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 39, č. 10 (2024), č. článku 105010. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: gallium nitride * yellow luminescence * negative thermal quenching * defect * sub-bandgap
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.1, rok: 2024 ; AIS: 0.325, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad7638
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0357494