0585820 - FZÚ 2025 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Popelář, Tomáš - Matějka, Filip - Kopenec, Jakub - Morselli, G. - Ceroni, P. - Kůsová, Kateřina
Why do Si quantum dots with stronger fast emission have lower external photoluminescence quantum yield?
Nanoscale Advances. Roč. 6, č. 10 (2024), s. 2644-2655. ISSN 2516-0230. E-ISSN 2516-0230
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA23-05837S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon quantum dots * fast emission * photoluminescence dynamics * quantum yield
Obor OECD: Nano-materials (production and properties)
Impakt faktor: 4.6, rok: 2024 ; AIS: 0.811, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Kůsová, Kateřina
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0353492