0588450 - FZÚ 2025 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Vaněček, Vojtěch - Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Dominec, Filip - Košutová, T.
Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation.
Journal of Luminescence. Roč. 269, May (2024), č. článku 120463. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * UV-C * absorption coefficient * excitation spectra * absorption spectra
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.6, rok: 2024 ; AIS: 0.457, rok: 2024
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0355352

0605285 - FZÚ 2025 RIV cze P - Patentový dokument
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Hájek, František - Blažek, K. - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip
Luminiscenční epitaxní struktura s InGaN kvantovými jamami a způsob její výroby.
[Luminescent epitaxial structure and way of preparation.]
2024. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.,Crytur s.r.o. Datum udělení patentu: 18.07.2024. Číslo patentu: 310121. : národní patent v členském státě EU .
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * quantum well * MOVPE * luminescence * decay time
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.gov.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/310/310121.pdf
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0362923