0616695 - FZÚ 2025 RIV CZ cze Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Jarý, Vítězslav
Technologie přípravy tlustých detekčních vrstev InGaN/GaN.
[Technology of preparation of thick InGaN/GaN layers.]
Interní kód: FW03010298-V28 ; 2024
Technické parametry: Struktura obsahuje 100 InGaN/GaN kvantových jam, má celkovou tloušťku aktivní oblasti 2400 nm, fotoluminiscenční i radioluminiscenční dosvit 1,4 ns
Ekonomické parametry: Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů, ale i pro detektory jiných ionizujících záření (alfa, rtg, gama...) např pro rentgenové zobrazování, CT, TOF CT, TOF SIMS nebo TOF PET aplikace. Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * scintillator * InGaN/GaN MQW * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0363677