0619245 - FZÚ 2026 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Lytvynenko, Anton - Baluchová, S. - Kopeček, Jaromír - Sedláková, Silvia - Lorinčík, J. - Elantyev, I. - Taylor, Andrew - Schwarzová-Pecková, K.
Homoepitaxial {100} single crystal boron-doped diamond: nanostructuring and its impact on electrochemical performance.
Surfaces and Interfaces. Roč. 65, May (2025), č. článku 106499. ISSN 2468-0230. E-ISSN 2468-0230
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051; GA ČR(CZ) GA23-05688S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: homoepitaxial growth * boron-doped diamond * single crystal * heterogeneous electron transfer * nanostructuring * electrochemistry
Obor OECD: Electrochemistry (dry cells, batteries, fuel cells, corrosion metals, electrolysis)
Impakt faktor: 6.3, rok: 2024 ; AIS: 0.811, rok: 2024
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0365980