Kashir Alireza

0557950 - FZÚ 2023 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Banerjee, W. - Kashir, Alireza - Kamba, Stanislav
Hafnium oxide (HfO₂) – a multifunctional oxide: a review on the prospect and challenges of hafnium oxide in resistive switching and ferroelectric memories.
Small. Roč. 18, č. 23 (2022), č. článku 2107575. ISSN 1613-6810. E-ISSN 1613-6829
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA21-06802S
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: thin films * resistive memory * ferroelectric memory
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 13.3, rok: 2022 ; AIS: 2.545, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/smll.202107575
Kashir, Alireza
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0331832

0568238 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Jang, H. - Kashir, Alireza - Oh, S. - Hwang, H.
Improvement of endurance and switching speed in Hf_1-xZr_xO₂ thin films using a nanolaminate structure.
Nanotechnology. Roč. 33, č. 39 (2022), č. článku 395205. ISSN 0957-4484. E-ISSN 1361-6528
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Hf_1-x Zr_xO₂ * nanolaminate * topological domain wall * switching barrier * coercive field * endurance * switching speed
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.5, rok: 2022 ; AIS: 0.555, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac79bb
Hwang, H.
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0339569

0556006 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kashir, Alireza - Farahani, M.G. - Lančok, Ján - Hwang, H. - Kamba, Stanislav
A grease for domain walls motion in HfO₂-based ferroelectrics.
Nanotechnology. Roč. 33, č. 15 (2022), č. článku 155703. ISSN 0957-4484. E-ISSN 1361-6528
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA21-06802S
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: ferroelectric * memory * coercive field * permittivity
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.5, rok: 2022 ; AIS: 0.555, rok: 2022
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac4679
Kashir, Alireza
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330373

0571425 - FZÚ 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kim, H. - Kashir, Alireza - Jang, H. - Oh, S. - Yadav, M. - Lee, S. - Hwang, H.
Two-step deposition of TiN capping electrodes to prevent degradation of ferroelectric properties in an in-situ crystallized TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/TiN device.
Nano Express. Roč. 3, č. 1 (2022), č. článku 015004. E-ISSN 2632-959X
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: capping layer effect * in situ crystallization * polarization value * deposition temperature * wake-up effect
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3, rok: 2022 ; AIS: 0.406, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342651

0553457 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Yadav, M. - Kashir, Alireza - Oh, S. - Nikam, R.D. - Kim, H. - Jang, H. - Hwang, H.
High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf_0.5Zr_0.5O₂ devices by control of oxygen-deficient layer.
Nanotechnology. Roč. 33, č. 8 (2022), č. článku 085206. ISSN 0957-4484. E-ISSN 1361-6528
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interfacial layer * annealing temperature * remnant polarization * sub-5 nm HZO * wakeup free * TEM * XPS
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.5, rok: 2022 ; AIS: 0.555, rok: 2022
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac3a38
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330727