Nápověda

Gedeonová Zuzana

Publikace ASEP

Označit vše / Zobrazit všechny roky / Zrušit označení

Označit vše / Zobrazit vše / Zrušit označení

Nalezeno záznamů: 9

0605164 - FZÚ 2026 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Alam, Mahebub - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Mortet, Vincent
Optical and electrical properties of low-high boron-doped {115}-oriented epitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 152, Feb (2025), č. článku 111871. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA21-03538S
AV ČR(CZ) CNRS-22-13
Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * epitaxial layers * Hall effect * specific contact resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 5.1, rok: 2024 ; AIS: 0.609, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111871
Alam, Mahebub
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0365756

0585191 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Alam, Mahebub - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power.
Applied Physics Letters. Roč. 124, č. 16 (2024), č. článku 161904. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA20-11140S
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * boron doping * thick
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.6, rok: 2024 ; AIS: 0.773, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1063/5.0200233
Alam, Mahebub
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0353691

0575958 - FZÚ 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Čambal, P. - Baluchová, S. - Taylor, Andrew - Míka, L. - Vondráček, Martin - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent - Schwarzová-Pecková, K.
Boron-doped {113}, {115} and {118}-oriented single-crystal diamond electrodes: Effect of surface pre-treatment.
Electrochimica acta. Roč. 469, Nov (2023), č. článku 143214. ISSN 0013-4686. E-ISSN 1873-3859
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-03187S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron doping level * crystal orientation * electrochemical pre-treatment * single-crystal boron doped diamond * surface termination
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 5.5, rok: 2023 ; AIS: 0.861, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.electacta.2023.143214
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0345638

0557316 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Taylor, Andrew - Lambert, Nicolas - Povolný, V. - Kroutil, J. - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent
Pseudo-vertical Mo/Au Schottky diodes on {113} oriented boron doped homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 126, June (2022), č. článku 109088. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * Schottky diodes * boron-doping * molybdenum
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022 ; AIS: 0.494, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109088
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0331353

0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342034

0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 8.5, rok: 2023 ; AIS: 1.578, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342845

0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Hubáček, Tomáš
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0341707

0556566 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Lambert, Nicolas - Weiss, Zdeněk - Klimša, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent
Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties.
Diamond and Related Materials. Roč. 125, May (2022), č. článku 108964. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA21-03538S
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond growth * polycrystalline diamond * phosphorus doping * pulsed gas * microwave plasma enhanced chemical vapor deposition
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022 ; AIS: 0.494, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108964
Mortet, Vincent
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330728

0558906 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Babin, Vladimir - Remeš, Zdeněk - Buryi, Maksym
Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping.
Journal of Alloys and Compounds. Roč. 914, Sep (2022), č. článku 165255. ISSN 0925-8388. E-ISSN 1873-4669
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: semiconductors * nitride materials * vapor deposition * optical properties * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.2, rok: 2022 ; AIS: 0.738, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255
Vaněk, Tomáš
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0332401