Nagisetty Siva S.

0569418 - FZÚ 2023 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Bulgakova, Nadezhda M. - Volodin, V.A. - Cheng, Y. - Levy, Yoann - Beránek, Jiří - Nagisetty, Siva S. - Zukerstein, Martin - Popov, A. A. - Bulgakov, Alexander V.
Selective ultrashort laser annealing of amorphous Ge/Si multilayer stacks.
EPJ Web of Conferences. Vol. 266. Les Ulis: EDP Science, 2022, č. článku 06012. E-ISSN 2100-014X.
[EOS Annual Meeting (EOSAM 2022). Porto (PT), 12.09.2022-16.09.2022]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: laser crystallization * femtosecond and picosecomd laser * Raman scattering technique
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
https://www.epj-conferences.org/articles/epjconf/pdf/2022/10/epjconf_eosam2022_06012.pdf
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0340742

0556457 - FZÚ 2023 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Volodin, V.A. - Krivyakin, G.K. - Bulgakov, Alexander V. - Levy, Yoann - Beránek, Jiří - Nagisetty, Siva S. - Bryknar, Z. - Bulgakova, Nadezhda M. - Geydt, P.V. - Popov, A. A.
Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Bellingham: SPIE, 2022 - (Lukichev, V.; Rudenko, K.), č. článku 1215702. 12157. ISSN 0277-786X.
[International Conference on Micro- and Nano-Electronics /14./. Zvenigorod (RU), 04.10.2021-08.10.2021]
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445; GA MŠMT EF15_006/0000674; GA MŠMT LO1602
OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445; OP VVV - HiLASE-CoE(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_006/0000674
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Ge/Si multi-nanolayers * picosecond infrared pulsed laser annealing * Raman spectroscopy * nonlinear efffects in light absorption
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/12157/2622731/Picosecond-infrared-laser-crystallization-of-Ge-layers-in-Ge-Si/10.1117/12.2622731.short
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330692

0571614 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Volodin, V.A. - Cheng, Y.-Z. - Bulgakov, Alexander V. - Levy, Yoann - Beránek, Jiří - Nagisetty, Siva S. - Zukerstein, Martin - Popov, A. A. - Bulgakova, Nadezhda M.
Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack.
Optics and Laser Technology. Roč. 161, June (2023), č. článku 109161. ISSN 0030-3992. E-ISSN 1879-2545
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445
OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Germanium/silicon multilayer stack * ultrashort infrared laser crystallization * selective crystallization * explosive low-temperature crystallization * Raman spectroscopy * nonlinear light absorption
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 4.6, rok: 2023 ; AIS: 0.698, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2023.109161
Bulgakova, Nadezhda M.
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0349444