Hývl Matěj

Publikace ASEP

Označit vše / Zobrazit vše / Zrušit označení

Nalezeno záznamů: 7

0617446 - FZÚ 2026 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Banerjee, Swarnendu - Hlaváč, Robert - Vlk, Aleš - Dvořák, Roman - Hývl, Matěj - Fejfar, Antonín - Legradic, B. - Barraud, L. - Holm, N. - Lachenal, D. - Ledinský, Martin
In-line thickness imaging tool and detail study of interdigitated back-contacts for silicon heterojunction solar cells.
Solar Energy Materials and Solar Cells. Roč. 283, May (2025), č. článku 113475. ISSN 0927-0248. E-ISSN 1879-3398
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051
GRANT EU: European Commission(XE) 101084046 - PILATUS
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: photoluminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.3, rok: 2024 ; AIS: 1.03, rok: 2024
Ledinský, Martin
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0366958

0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 8.5, rok: 2023 ; AIS: 1.578, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342845

0587795 - FZÚ 2025 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Kubaščík, P. - Farkaš, Andrej - Olejník, Kamil - Troha, Tinkara - Hývl, Matěj - Křížek, Filip - Joshi, D.C. - Ostatnický, T. - Jechumtál, J. - Schmoranzerová, E. - Campion, R. P. - Zázvorka, J. - Novák, Vít - Kužel, Petr - Jungwirth, Tomáš - Němec, P. - Nádvorník, L.
Terahertz probing of anisotropic conductivity and morphology of CuMnAs epitaxial thin films.
Advanced Physics Research. Roč. 3, č. 1 (2024), č. článku 2300075. ISSN 2751-1200
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GX19-28375X; GA ČR(CZ) GC21-28876J
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab II - 90251
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: spintronics * antiferromagnets
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.8, rok: 2024 ; AIS: 0.727, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0354891

0637244 - FZÚ 2026 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Kumar, A. - Bhattacharya, D. - Kundu, M. - Rahaman, M. - Banerjee, Swarnendu - Hývl, Matěj - Ledinský, Martin - Das, S. - Bose, N. - Basu, M.
High-performance triboelectric nanogenerator derived from surface-modified carbon dot/poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) nanocomposite film.
Energy Technology. Roč. 13, č. 1 (2025), č. článku 2500307. ISSN 2194-4288. E-ISSN 2194-4296
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: carbon dot(CDs) * PVDF‑HFP nanocomposite film * phase inversion fabrication * triboelectric nanogenerator (TENG)
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.6, rok: 2024 ; AIS: 0.634, rok: 2024
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0369051

0638377 - FZÚ 2026 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Leiviskä, Miina - Firouzmandi, R. - Ahn, Kyo-Hoon - Kubaščík, P. - Šobáň, Zbyněk - Bommanaboyena, Satya Prakash - Müller, Christoph - Kriegner, Dominik - Sailler, S. - Reustlen, D. - Lammel, M. - Bestha, K. K. - Hývl, Matěj - Šmejkal, Libor - Železný, Jakub - Wolter, A. U.B. - Scheufele, M. - Fischer, J. - Opel, M. - Geprägs, S. - Althammer, M. - Büchner, B. - Jungwirth, Tomáš - Nádvorník, L. - Goennenwein, S.T.B. - Kocsis, V. - Reichlová, Helena
Spin Hall magnetoresistance at the altermagnetic insulator/Pt interface.
Physical Review Materials. Roč. 9, č. 8 (2025), č. článku 084403. ISSN 2475-9953. E-ISSN 2475-9953
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-17899K; GA MŠMT(CZ) LV23025; GA MŠMT(CZ) EH22_008/0004594; GA MŠMT LM2023051; GA ČR(CZ) GA25-17490S
GRANT EU: European Commission(XE) 101081515 - P4F; European Commission(XE) 101095925 - ALTERMAG
AV ČR(CZ) LQ100102201
Prémie Lumina quaeruntur
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: spintronics * altermagnets
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2024 ; AIS: 1.008, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1103/hksk-qxl5

Leiviskä, Miina Reichlová, Helena
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0373025

0572233 - FZÚ 2024 RIV CN eng J - Článek v odborném periodiku
Pinc, Jan - Školáková, Andrea - Hybášek, V. - Msallamová, Š. - Veřtát, Petr - Ashcheulov, Petr - Vondráček, Martin - Duchoň, Jan - McCarroll, I. - Hývl, Matěj - Banerjee, Swarnendu - Drahokoupil, Jan - Kubásek, J. - Vojtěch, D. - Čapek, Jaroslav
A detailed mechanism of degradation behaviour of biodegradable as-ECAPed Zn-0.8Mg-0.2Sr with emphasis on localized corrosion attack.
Bioactive Materials. Roč. 27, Sep (2023), s. 447-460. E-ISSN 2452-199X
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) EF18_053/0016627
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760; OP VVV - Mobility FZU 2(XE) CZ.02.2.69/0.0/0.0/18_053/0016627
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110; CzechNanoLab II - 90251
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: biodegradable metals * zinc-based alloy * characterization * mechanism * ECAP
Obor OECD: Materials engineering
Impakt faktor: 18, rok: 2023 ; AIS: 2.89, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Pinc, Jan
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0343180

0556260 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Stránská Matějová, J. - Hospodková, Alice - Košutová, T. - Hubáček, Tomáš - Hývl, Matěj - Holý, V.
V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content.
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 55, č. 25 (2022), č. článku 255101. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT EF16_026/0008382
OP VVV - CARAT CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: V-pits * InGaN/GaN * dislocations * x-ray diffraction * diffuse scattering * XRD * RSM
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022 ; AIS: 0.675, rok: 2022
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330551