Nápověda

Pangrác Jiří

Publikace ASEP

RIV ID 6156142
Označit vše / Zobrazit všechny roky / Zrušit označení

Označit vše / Zobrazit vše / Zrušit označení

Nalezeno záznamů: 6

0574605 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Buryi, Maksym - Ledoux, G. - Dujardin, C.
Donor-acceptor pairs recombination as the origin of the emission shift in InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn.
ECS Journal of Solid State Science and Technology. Roč. 12, č. 6 (2023), č. článku 066004. ISSN 2162-8769. E-ISSN 2162-8777
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitrides * scintillator * defects * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2023 ; AIS: 0.312, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0346913

0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342034

0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 8.5, rok: 2023 ; AIS: 1.578, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342845

0562801 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Batysta, Jan - Liedke, M.O. - Hirschmann, E. - Butterling, M. - Wagner, A.
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers.
Materials. Roč. 15, č. 19 (2022), č. článku 6916. ISSN 1996-1944. E-ISSN 1996-1944
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
AV ČR(CZ) PAN-20-19; OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * defects * positron annihilation spectroscopy * photoluminescence * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022 ; AIS: 0.511, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0334994

0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Hubáček, Tomáš
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0341707

0575223 - FZÚ 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Miliaieva, Daria - Djoumessi, A.S. - Čermák, Jan - Kolářová, Kateřina - Schaal, M. - Otto, F. - Shagieva, Ekaterina - Romanyuk, Olexandr - Pangrác, Jiří - Kuliček, J. - Nádaždy, V. - Stehlík, Štěpán - Kromka, Alexander - Hoppe, H. - Rezek, B.
Absolute energy levels in nanodiamonds of different origins and surface chemistries.
Nanoscale Advances. Roč. 5, č. 17 (2023), s. 4402-4414. ISSN 2516-0230. E-ISSN 2516-0230
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051; GA ČR(CZ) GC20-20991J
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanodiamonds * energy levels * surface chemistry
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.6, rok: 2023 ; AIS: 0.822, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Miliaieva, Daria
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0345121