Nápověda

Hubík Pavel

Publikace ASEP

RIV ID 8935688
Označit vše / Zobrazit všechny roky / Zrušit označení

Označit vše / Zobrazit vše / Zrušit označení

Nalezeno záznamů: 17

0605164 - FZÚ 2026 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Alam, Mahebub - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Mortet, Vincent
Optical and electrical properties of low-high boron-doped {115}-oriented epitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 152, Feb (2025), č. článku 111871. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA21-03538S
AV ČR(CZ) CNRS-22-13
Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * epitaxial layers * Hall effect * specific contact resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 5.1, rok: 2024 ; AIS: 0.609, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111871
Alam, Mahebub
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0365756

0585191 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Alam, Mahebub - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Fekete, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent
Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power.
Applied Physics Letters. Roč. 124, č. 16 (2024), č. článku 161904. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA20-11140S
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * boron doping * thick
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.6, rok: 2024 ; AIS: 0.773, rok: 2024
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1063/5.0200233
Alam, Mahebub
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0353691

0574390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Ashcheulov, Petr - Otake, B. - Akai, K. - Taylor, Andrew - Klimša, Ladislav - Hubík, Pavel - More Chevalier, Joris - Einaga, Y.
Surface morphology-assisted electrochemical conversion of carbon dioxide to formic acid via nanocrystalline boron-doped diamond electrodes.
Chemical Engineering Journal. Roč. 473, Oct (2023), č. článku 145463. ISSN 1385-8947. E-ISSN 1873-3212
Grant CEP: GA ČR GJ19-09784Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron-doped diamond * electrochemistry * carbon dioxide * formic acid * CO2 reduction
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 13.4, rok: 2023 ; AIS: 2.085, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.cej.2023.145463
Ashcheulov, Petr
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0344720

0644534 - FZÚ 2027 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Ashcheulov, Petr - Davydova, Marina - Taylor, Andrew - Hubík, Pavel - Kovalenko, A. - Kopeček, Jaromír - Fekete, Ladislav - Weiss, Zdeněk
Ultrathin boron-doped diamond surface-wave-plasma synthesis of semi-conductive nanocrystalline boron-doped diamond layers at low temperature.
Materials Advances. Roč. 7, č. 1 (2026), s. 535-547. E-ISSN 2633-5409
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA22-04533S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Boron doped diamond * low temperature * resistivity * electrochemistry
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.7, rok: 2024 ; AIS: 0.864, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Ashcheulov, Petr
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0374347

0585771 - FZÚ 2025 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Correa, Cinthia Antunes - More Chevalier, Joris - Hruška, Petr - Poupon, Morgane - Novotný, Michal - Minárik, P. - Hubík, Pavel - Lukáč, František - Fekete, Ladislav - Prokop, Dejan - Hanuš, J. - Valenta, J. - Fitl, Přemysl - Lančok, Ján
Microstructure and physical properties of black-aluminum antireflective films.
RSC Advances. Roč. 14, May (2024), s. 15220-15231. ISSN 2046-2069. E-ISSN 2046-2069
Grant CEP: GA ČR GA23-05002S; GA MŠMT LM2023051; GA MŠMT(CZ) EH22_008/0004596
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389021
Klíčová slova: thin film * aluminum * antireflective film
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.); Materials engineering (UFP-V)
Impakt faktor: 4.6, rok: 2024 ; AIS: 0.622, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Correa, Cinthia Antunes
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0353450

0575958 - FZÚ 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Čambal, P. - Baluchová, S. - Taylor, Andrew - Míka, L. - Vondráček, Martin - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent - Schwarzová-Pecková, K.
Boron-doped {113}, {115} and {118}-oriented single-crystal diamond electrodes: Effect of surface pre-treatment.
Electrochimica acta. Roč. 469, Nov (2023), č. článku 143214. ISSN 0013-4686. E-ISSN 1873-3859
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-03187S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron doping level * crystal orientation * electrochemical pre-treatment * single-crystal boron doped diamond * surface termination
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 5.5, rok: 2023 ; AIS: 0.861, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.electacta.2023.143214
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0345638

0639456 - FZÚ 2026 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Čížek, J. - Kuriplach, J. - Hrytsak, R. - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Babin, Vladimir - Szabó, Ondrej - Hubík, Pavel - Grzanka, E. - Czernecki, R. - Leszczynski, M. - Liedke, M. O. - Butterling, M. - Hirschmann, E. - Wagner, A. - Hospodková, Alice
Clusters of vacancies in gallium nitride grown by MOCVD.
Journal of Physics-Materials. Roč. 8, č. 4 (2025), č. článku 045008. E-ISSN 2515-7639
Grant CEP: GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: positron-annihilation * yellow luminescence * GaN * progress * defects * system
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.3, rok: 2024 ; AIS: 1.237, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Hájek, František
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0369997

0557316 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Laposa, A. - Šobáň, Zbyněk - Taylor, Andrew - Lambert, Nicolas - Povolný, V. - Kroutil, J. - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent
Pseudo-vertical Mo/Au Schottky diodes on {113} oriented boron doped homoepitaxial diamond layers.
Diamond and Related Materials. Roč. 126, June (2022), č. článku 109088. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-11140S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * Schottky diodes * boron-doping * molybdenum
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022 ; AIS: 0.494, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109088
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0331353

0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342034

0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 8.5, rok: 2023 ; AIS: 1.578, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Hospodková, Alice
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342845

0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.7, rok: 2023 ; AIS: 0.288, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Hubáček, Tomáš
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0341707

0556566 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Lambert, Nicolas - Weiss, Zdeněk - Klimša, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mortet, Vincent
Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties.
Diamond and Related Materials. Roč. 125, May (2022), č. článku 108964. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA21-03538S
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond growth * polycrystalline diamond * phosphorus doping * pulsed gas * microwave plasma enhanced chemical vapor deposition
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2022 ; AIS: 0.494, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108964
Mortet, Vincent
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0330728

0583654 - FZÚ 2024 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Mareš, Jiří J. - Špička, Václav - Hubík, Pavel
On physical processes controlling nerve signalling.
European Physical Journal-Special Topics. Roč. 232, 20-22 (2023), s. 3561-3576. ISSN 1951-6355. E-ISSN 1951-6401
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nerve signalling * action potential * quantum ionic flow
Obor OECD: Biophysics
Impakt faktor: 2.6, rok: 2023 ; AIS: 0.607, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Špička, Václav
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0351702

0583629 - FZÚ 2024 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Mareš, Jiří J. - Špička, Václav - Hubík, Pavel
Thought experiments in electromagnetic theory and the ordinary Hall effect.
European Physical Journal-Special Topics. Roč. 232, 20-22 (2023), s. 3529-3544. ISSN 1951-6355. E-ISSN 1951-6401
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: hidden momentum forces * linear momentum * field momentum * mass
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.6, rok: 2023 ; AIS: 0.607, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Špička, Václav
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0351651

0618934 - FZÚ 2026 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Remeš, Zdeněk - Hubička, Zdeněk - Hubík, Pavel
Optical and transport properties of ZnO thin films prepared by reactive pulsed mid-frequency sputtering combined with RF ECWR plasma.
Nanomaterials. Roč. 15, č. 8 (2025), č. článku 590. ISSN 2079-4991. E-ISSN 2079-4991
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EH22_008/0004596; GA ČR(CZ) GC24-10607J
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: ZnO * optical absorptance * photoluminescence * sputtering * Hall effect
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.3, rok: 2024 ; AIS: 0.674, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Remeš, Zdeněk
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0365730

0618709 - FZÚ 2026 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Sung, Kildong - Irimiciuc, Stefan Andrei - Novotný, Michal - Weiss, Zdeněk - Hubík, Pavel - Kopeček, Jaromír - Vondráček, Martin - Mortet, Vincent
Advanced perspective on heavily phosphorus-doped diamond layers via optical emission spectroscopy.
APL Materials. Roč. 13, č. 1 (2025), č. článku 011118. ISSN 2166-532X. E-ISSN 2166-532X
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA21-03538S; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * emission spectroscopy * polycrystalline material * Raman spectroscopy * chemical vapor deposition * phosphorus * plasma properties and parameters
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.5, rok: 2024 ; AIS: 1.2, rok: 2024
Způsob publikování: Open access
Sung, Kildong
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0365613

0570673 - FZÚ 2024 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Taylor, Andrew - Ashcheulov, Petr - Hubík, Pavel - Weiss, Zdeněk - Klimša, Ladislav - Kopeček, Jaromír - Hrabovský, Jan - Veis, M. - Lorinčík, J. - Elantyev, I. - Mortet, Vincent
Comparative determination of atomic boron and carrier concentration in highly boron doped nano-crystalline diamond.
Diamond and Related Materials. Roč. 135, May (2023), č. článku 109837. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA20-03187S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT EF15_003/0000445
OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760; OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110; CzechNanoLab II - 90251
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * boron-doped * estimation * spectroscopic * relative * hall
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.3, rok: 2023 ; AIS: 0.53, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2023.109837
Taylor, Andrew
Trvalý odkaz: https://hdl.handle.net/11104/0342007